GSMBE相关论文
在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致......
在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层......
用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释......
本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的......
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了......
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射......
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争......
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影......
ＧＳＭＢＥ法ＺｎＳｅ外延层中的晶体缺陷日本三菱电子公司最近研究了气态源分子束外延ＺｎＳｅ膜初始阶段的晶体缺陷。实验以金属锌和Ｈ２Ｓｅ为源，在具有（４×８）Ｇａ稳定表面的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉......
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温......
报道了GSMBE方法生长波长1.84um的InGaAs/InGaAsP/InP应变激光器，40um条宽、800um腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射......
为提高外延ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍，进一步升温Ｓｉ的......
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ｎｐｎ异质结双极晶体管。晶体管基区Ｇｅ组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０＾１９ｃｍ＾－３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ。直流特性测试表明，共发射极直流放......
报道了气态分子束外延（GSMBE）生长1．8－2．0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果。1．8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成......
在国内道次用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地生长出了高质量的ＧａＮ单晶外延膜。ＧａＮ外延膜的（０００２）Ｘ射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为８′；背景电......
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中......
使用ＮＨ３作氮源，采用ＧＳＭＢＥ方法在（０００１）Ａ１２Ｏ３衬底上生长出了高质量的ＧａＮ单晶外延膜。１．２μｍ厚的ＧａＮ外延膜的（０００２）Ｘ射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为６′，室温电子迁移率为３００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ），背......
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料，采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管，在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的......
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影......
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生......
ＧａｓＳｏｕｒｃｅＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙＧｒｏｗｔｈｏｆＳｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＡｌｏｙｓＬｉｕＸｕｅｆｅｎｇ，ＬｉＪｉａｎｐｉｎｇａｎｄＳｕｎＤｉａｎｚｈａｏ（刘学锋）（李建平）（孙殿照）ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅＣｅｎｔｅｒ.........
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3......
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射......
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-P......
本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究。在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０＾１４ｃｍ＾－３，７７Ｋ时......
采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，即保留了生长中由氢化......
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器，器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺，减小了暗电流，提高了......
采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了......
本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延生长，所得样品晶格失配率Δα／α〈８．９５×１０＾－５，本底载流子浓度为１０＾１５ｃｍ＾－３数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制......
采用ＧＳＭＢＥ技术，在材料表征和分析的基础上，通过优化生长条件，生长出高性能Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）微结构材料，并制备出器件，材料结构中采用厚度为６０ｎｍ、......
用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了应变Ｓｉ１－ｘ Ｇｅｘ／Ｓｉ异质结材料的生长，并用Ｘ射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析，对于Ｓｉ０．９１Ｇｅ０．０９和Ｓｉ０．８６Ｇｅ０．１４单层，其半宽度ＦＷＨＭ分别为１００〃和２０２〃......
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ，Ｐ型掺杂研究。，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争......
用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ＾２（Ｖ．ｓ）、相应的非有意掺杂电子浓度为......
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温......
采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍身被用于原位监控生长层的表面重......
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负......
半导体量子点具有类似于单个原子的不连续能级结构,使得它对于基础物理研究和新型电子及光电器件研究都有很重要的意义,量子点材料......
